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拋光液是一種不含任何硫、磷、氯添加劑的水溶性?huà)伖鈩?具有良好的去油污,防銹,清洗和增光性能,并能使金屬制品超過(guò)原有的光澤。本產(chǎn)品性能穩(wěn)定、無(wú)毒,對(duì)環(huán)境無(wú)污染等作用,光液使用方法:包括棘輪扳手、開(kāi)口扳手,批咀、套筒扳手,六角扳手,螺絲刀等,鉛錫合金、鋅合金等金屬產(chǎn)品經(jīng)過(guò)研磨以后,再使用拋光劑配合振動(dòng)研磨光飾機(jī),滾桶式研磨光式機(jī)進(jìn)行拋光;1拋光劑投放量為(根據(jù)不同產(chǎn)品的大小,光飾機(jī)的大小和各公司的產(chǎn)品光亮度要求進(jìn)行適當(dāng)配置),2:拋光時(shí)間:根據(jù)產(chǎn)品的狀態(tài)來(lái)定。3、拋光完成后用清水清洗一次并且烘干即可。

英文名

polishing slurry

拋光液

CMP(Chemical Mechanical Polishing)

化學(xué)機(jī)械拋光

這兩個(gè)概念主要出現(xiàn)在半導(dǎo)體加工過(guò)程中,最初的半導(dǎo)體基片(襯底片)拋光沿用機(jī)械拋光、例如氧化鎂、氧化鋯拋光等,但是得到的晶片表面損傷是及其嚴(yán)重的。直到60年代末,一種新的拋光技術(shù)——化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)(CMP Chemical Mechanical Polishing )取代了舊的方法。CMP技術(shù)綜合了化學(xué)和機(jī)械拋光的優(yōu)勢(shì):單純的化學(xué)拋光,拋光速率較快,表面光潔度高,損傷低,完美性好,但表面平整度和平行度差,拋光后表面一致性差;單純的機(jī)械拋光表面一致性好,表面平整度高,但表面光潔度差,損傷層深�；瘜W(xué)機(jī)械拋光可以獲得較為完美的表面,又可以得到較高的拋光速率,得到的平整度比其他方法高兩個(gè)數(shù)量級(jí),是目前能夠?qū)崿F(xiàn)全局平面化的唯一有效方法。

制作步驟

依據(jù)機(jī)械加工原理、半導(dǎo)體材料工程學(xué)、物力化學(xué)多相反應(yīng)多相催化理論、表面工程學(xué)、半導(dǎo)體化學(xué)基礎(chǔ)理論等,對(duì)硅單晶片化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)機(jī)理、動(dòng)力學(xué)控制過(guò)程和影響因素研究標(biāo)明,化學(xué)機(jī)械拋光是一個(gè)復(fù)雜的多相反應(yīng),它存在著兩個(gè)動(dòng)力學(xué)過(guò)程:

1、拋光首先使吸附在拋光布上的拋光液中的氧化劑、催化劑等與襯底片表面的硅原子在表面進(jìn)行氧化還原的動(dòng)力學(xué)過(guò)程。這是化學(xué)反應(yīng)的主體。

2、拋光表面反應(yīng)物脫離硅單晶表面,即解吸過(guò)程使未反應(yīng)的硅單晶重新裸露出來(lái)的動(dòng)力學(xué)過(guò)程。它是控制拋光速率的另一個(gè)重要過(guò)程。

硅片的化學(xué)機(jī)械拋光過(guò)程是以化學(xué)反應(yīng)為主的機(jī)械拋光過(guò)程,要獲得質(zhì)量好的拋光片,必須使拋光過(guò)程中的化學(xué)腐蝕作用與機(jī)械磨削作用達(dá)到一種平衡。如果化學(xué)腐蝕作用大于機(jī)械拋光作用,則拋光片表面產(chǎn)生腐蝕坑、桔皮狀波紋。如果機(jī)械磨削作用大于化學(xué)腐蝕作用,則表面產(chǎn)生高損傷層。

硅材料

拋光液

藍(lán)寶石

拋光液

砷化鎵

拋光液

鈮酸鋰

拋光液

鍺拋光液

集成電路多次銅布線(xiàn)拋光液

集成電路阻擋層拋光液

應(yīng)用

1、LED行業(yè)

目前LED芯片主要采用的襯底材料是藍(lán)寶石,在加工過(guò)程中需要對(duì)其進(jìn)行減薄和拋光。藍(lán)寶石的硬度極高,普通磨料難以對(duì)其進(jìn)行加工。在用金剛石研磨液對(duì)藍(lán)寶石襯底表面進(jìn)行減薄和粗磨后,表面不可避免的有一些或大或小的劃痕。CMP拋光液利用"軟磨硬"的原理很好的實(shí)現(xiàn)了藍(lán)寶石表面的精密拋光。隨著LED行業(yè)的快速發(fā)展,聚晶金剛石研磨液及二氧化硅溶膠拋光液的需求也與日俱增。

2、半導(dǎo)體行業(yè)

CMP技術(shù)還廣泛的應(yīng)用于集成電路(IC)和超大規(guī)模集成電路中(ULSI)對(duì)基體材料硅晶片的拋光。隨著半導(dǎo)體工業(yè)的急速發(fā)展,對(duì)拋光技術(shù)提出了新的要求,傳統(tǒng)的拋光技術(shù)(如:基于淀積技術(shù)的選擇淀積、濺射等)雖然也可以提供"光滑"的表面,但卻都是局部平面化技術(shù),不能做到全局平面化,而化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)解決了這個(gè)問(wèn)題,它是目前唯一的可以在整個(gè)硅圓晶片上全面平坦化的工藝技術(shù)。

硅材料拋光液、藍(lán)寶石拋光液、砷化鎵拋光液、鈮酸鋰拋光液、鍺拋光液、集成電路多次銅布線(xiàn)拋光液、集成電路阻擋層拋光液、研磨拋光液、電解拋光液、不銹鋼電化學(xué)拋光液,不銹鋼拋光液、石材專(zhuān)用納米拋光液、氧化鋁拋光液、銅化學(xué)拋光液、鋁合金拋光液、鏡面拋光液、銅拋光液、玻璃研磨液、藍(lán)寶石研磨液、酸。

拋光液的主要產(chǎn)品可以按主要成分的不同分為以下幾大類(lèi):金剛石拋光液(多晶金剛石拋光液、單晶金剛石拋光液和納米金剛石拋光液)、氧化硅拋光液(即CMP拋光液)、氧化鈰拋光液、氧化鋁拋光液和碳化硅拋光液等幾類(lèi)。

多晶金剛石拋光液

多晶金剛石拋光液以多晶金剛石微粉為主要成分,配合高分散性配方,可以在保持高切削率的同時(shí)不易對(duì)研磨材質(zhì)產(chǎn)生劃傷。

主要應(yīng)用于藍(lán)寶石襯底的研磨、LED芯片的背部減薄、光學(xué)晶體以及硬盤(pán)磁頭等的研磨和拋光。

氧化硅拋光液

氧化硅拋光液(CMP拋光液)是以高純硅粉為原料,經(jīng)特殊工藝生產(chǎn)的一種高純度低金屬離子型拋光產(chǎn)品。

廣泛用于多種材料納米級(jí)的高平坦化拋光,如:硅晶圓片、鍺片、化合物半導(dǎo)體材料砷化鎵、磷化銦,精密光學(xué)器件、藍(lán)寶石片等的拋光加工。

氧化鈰拋光液

氧化鈰拋光液是以微米或亞微米級(jí)CeO2為磨料的氧化鈰研磨液,該研磨液具有分散性好、粒度細(xì)、粒度分布均勻、硬度適中等特點(diǎn)。

適用于高精密光學(xué)儀器,光學(xué)鏡頭,微晶玻璃基板,晶體表面、集成電路光掩模等方面的精密拋光。

氧化鋁和碳化硅拋光液

是以超細(xì)氧化鋁和碳化硅微粉為磨料的拋光液,主要成分是微米或亞微米級(jí)的磨料。

主要用于高精密光學(xué)儀器、硬盤(pán)基板、磁頭、陶瓷、光纖連接器等方面的研磨和拋光。