mcd 50-b和mcd 125-b/npe滿(mǎn)足標(biāo)準(zhǔn)din、vde 6f5 part6（draft 11.89）a1,a2對(duì)b類(lèi)器件的需求條件，以及標(biāo)準(zhǔn)iec61643-1（02，89）對(duì)第ι級(jí)浪涌保護(hù)器的要求，他們與后級(jí)限壓型電涌保護(hù)器配合使用時(shí)，無(wú)需設(shè)計(jì)退耦裝置，可以將兩極保護(hù)器安 裝在一起。該產(chǎn)品是obo在間隙型浪涌保護(hù)器的多電極石磨堆疊技術(shù)新發(fā)展。 mcd 50-b以其低保護(hù)電壓水平（up≤1.31kv）的特性，確保了與c級(jí)浪涌保護(hù)器配合使用時(shí)，不需要設(shè)計(jì)退耦裝置或者在b級(jí)和 c級(jí)之間留一定的安 裝距離。這樣它可以節(jié)省超過(guò)45％的安 裝空間，mcd 50-b這個(gè)特性特別是對(duì)緊湊型z-mc概念有著特殊的貢獻(xiàn)。另外，npe放電間隙mcd125-b/npe雷擊電涌保護(hù)器其大通流量的特性在tt、tn-s系統(tǒng)中使用，可以同時(shí)作為b和c級(jí)浪涌保護(hù)器的npe保護(hù)模塊，節(jié)省費(fèi)用及安 裝空間。 新的mcd50-b和mcd125-b/npe浪涌保護(hù)器周首選的應(yīng)用環(huán)境是，需要有緊湊的防雷保護(hù)概念或者需要在一個(gè)獨(dú)立的小型機(jī)房?jī)?nèi)安 裝b和c兩級(jí)浪涌保護(hù)器的環(huán)境。例如：移動(dòng)、微波通信基站。
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