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 　　在高溫下奧氏體晶粒長大是一個自覺進(jìn)程，實(shí)習(xí)上奧氏體晶粒長大基本上是一個晶界搬遷進(jìn)程，所以，全部影響奧氏體晶界搬遷的要素  ，都能影響奧氏體晶粒的長大。

　　奧氏體化溫度越高，晶粒長大越明顯，當(dāng)晶粒長大到一定程度后，即便持續(xù)延伸保溫時刻，奧氏體晶粒不會再有明顯的長大，如圖8-17所示。奧氏體晶粒大小與往后的冷卻速度無關(guān)。

　　跟著鋼中含碳量的添加，奧氏體晶粒長大傾向也增大，可是當(dāng)碳含量跨越某一極限時，奧氏體晶粒反而纖細(xì)，這是因?yàn)樘己�量跨越跨越某一極限時，呈現(xiàn)未溶滲碳體，滲碳體可以

　　阻擋晶界的搬遷，所以晶粒反而長得慢，奧氏體實(shí)習(xí)晶粒較纖細(xì)。

　　鋼中參加合金元素  也影響奧氏體晶粒長大。但凡發(fā)作安  穩(wěn)碳化物的元素  （如鈦、釩、鈮、鎢、鉬、鉻等），發(fā)作不溶于奧氏體的氧化物及氮化物的元素  （如鋁），都會阻擋奧氏體晶粒長大。而錳、磷則有加快奧氏體晶粒長大的傾向。在其時工業(yè)出產(chǎn)中，鋁是廣泛用來操控奧氏體晶粒度的元素  ，用鋁脫氧的鋼中存在著高熔點(diǎn)的ain質(zhì)點(diǎn)，阻擋奧氏體晶界的移動，然后細(xì)化了晶粒。通常鋼中剩余鋁含量約0.02~0.04％可以獲得實(shí)質(zhì)細(xì)晶粒鋼。

　　總之，合金元素  對奧氏體晶粒長大作用的影響如下：

　　劇烈阻擋晶粒長大的元素  有ai、ti、zr、v；

　　可以阻擋晶粒長大的元素  有w、mo、cr；

　　阻擋晶粒長大作用較弱的元素  有si、ni、cu；

　　推動晶粒長大的元素  有mn（指高碳狀況），p、c（指溶入奧氏體中的狀況）。

　　(3)操控奧氏體晶粒長大和細(xì)化晶粒的辦法

　　1）合理挑選加熱溫度和加熱時刻加熱

　　加熱溫度高一些，奧氏體構(gòu)成速度就快一些。溫度越高，奧氏體長大傾向性越大，實(shí)習(xí)晶粒就越粗。保溫時，跟著保溫時刻的延伸也呈現(xiàn)奧氏體晶粒長大，可是，加熱溫度對晶粒長大的影響要比保溫時刻的影響明顯得多，故加熱溫度的合理挑選十分首要。

　　合金鋼的奧氏體構(gòu)成和均勻化所需的時刻比碳鋼長，所以合金鋼通常需求較長的加熱時刻。

　　2）合理挑選鋼的初始安  排

　　鋼的初始安  排對奧氏體晶粒長大有影響，通常狀況下，片狀珠光體比粒狀珠光體簡略過熱，因?yàn)槠瑺钐蓟�物溶解快，改動為奧氏體的速度快

　　8.3.3.2關(guān)于包辛格效應(yīng)：

　　多晶體金屬在遭到反復(fù)交變的載荷作用時，呈現(xiàn)塑性變形抗力降低的表象，稱包辛格效應(yīng)。

　　圖8-8包辛格效應(yīng)

　　如圖8-8，閃現(xiàn)包辛格效應(yīng)時，所得到的應(yīng)力變形曲線的比方，拉伸時資料的初始屈服應(yīng)力在a點(diǎn)，若對此資料進(jìn)行緊縮時，其屈服應(yīng)力也與它鄰近（在點(diǎn)線的b點(diǎn)），以一樣的試樣使其受載荷逾越a點(diǎn)而至c點(diǎn)，卸載后將沿cd線回來至d，若在此時對它施以緊縮負(fù)荷，則開始塑性變形將在e點(diǎn)，e點(diǎn)的應(yīng)力明顯地比原來受緊縮資料在b點(diǎn)屈服應(yīng)力低，這個效應(yīng)是可逆的，若原試樣經(jīng)塑性緊縮再拉伸時，一樣發(fā)作屈服應(yīng)力降低的表象。

　　實(shí)際上，當(dāng)接連變形是以異號應(yīng)力來替換進(jìn)行時，可降低金屬的變形抗力，用同一符號的應(yīng)力而有間隙地接連變形時，則變形抗力接連地添加。

　　(包辛格效應(yīng)僅在塑性變形不太大時才呈現(xiàn)。如黃銅是在給予4％以下的塑性變形時才呈現(xiàn)明顯的包辛格效應(yīng)，關(guān)于硬鋁則小于0.7％。)

　　8.3.3.3在鋼管矯直的進(jìn)程中，它的變形有軸向變形和徑向變形，可是它的變形是雜亂的。

　　1縱向曲折剖析：

　　縱向曲折矯直是使鋼管發(fā)作與曲折相反方向的塑性變形來抵達(dá)矯直曲折的意圖，而不曲折的管子斷面只發(fā)作彈性變形，塑性變形區(qū)占支持距的40％長度。

　　4）有關(guān)濾波板損壞

　　缺點(diǎn)處理：1）關(guān)斷悉數(shù)電源，冷啟計(jì)算機(jī)系統(tǒng)

　　2）替換損壞探頭

　　3）拾掇航空插頭并擰緊、拾掇滑環(huán)

　　4）替換有關(guān)損壞的濾波板

　　8.5.3渦流（et）檢查

　　8.5.3.1渦流檢查原理

　　在渦流檢查中，試件在檢查線圈交變磁場效果下，感生出渦流。試件參數(shù)及試件和線圈相對方位等發(fā)作改動時就致使渦流高低和相位改動，而渦流的改動又會致使檢查線圈阻抗（感應(yīng)電壓）的改動。渦流檢查試驗(yàn)恰是依據(jù)線圈阻抗的改動間接地區(qū)分試件的質(zhì)量狀況。

　　假設(shè)金屬導(dǎo)體量于改動的磁場中，金屬導(dǎo)體內(nèi)也要發(fā)作感應(yīng)電流，當(dāng)線圈中有交變電流時，金屬導(dǎo)體內(nèi)的磁通量發(fā)作改動，金屬導(dǎo)體可看成是由很多圓筒狀薄殼構(gòu)成。因?yàn)榇┻^薄殼回路的磁通量在改動著，因而沿這回路就有感應(yīng)電流發(fā)作，這種電流的流線在金屬導(dǎo)體內(nèi)自行閉合呈旋渦狀，所以稱之為渦電流，簡稱渦流。

　　在電磁感應(yīng)表象中，閉合回路中出現(xiàn)感應(yīng)電流，闡明回路中的電荷遭到電力的效果，可見，磁場的改動在回路中激發(fā)了電場，一般稱為感生電場（或渦流電場）所以說，電磁感應(yīng)就是改動的磁場發(fā)作電場的表象。

　　8.5.3.2渦流的趨膚效應(yīng)

　　處于改動磁場中的導(dǎo)體在磁場效果下，導(dǎo)體中會構(gòu)成渦流而渦流發(fā)作的焦耳又使電磁場的能量不斷損耗，因此在導(dǎo)體內(nèi)部的磁場是逐步衰減的，外表磁場強(qiáng)度大于深層的磁場強(qiáng)度。又渦流是由磁場感應(yīng)發(fā)作的，所以在導(dǎo)體內(nèi)磁場的這種遞減性天然導(dǎo)向渦流遞減性。咱們把這種電流跟著深度的添加而衰減，明顯地集中于導(dǎo)體外表的表象稱為趨膚效應(yīng)。

　　咱們知道，渦流是由磁場感應(yīng)發(fā)作的，已然導(dǎo)體的磁場呈衰減散布，可以預(yù)料，渦流散布也不會均勻。

　　導(dǎo)體內(nèi)的磁場強(qiáng)度和渦流密度呈指數(shù)衰減，衰減的快慢取決于導(dǎo)體的μ、σ及交變磁場的f。

　　為了闡明趨膚效應(yīng)的程度，咱們規(guī)則磁場強(qiáng)度和渦流密度的高低降至外表值的1/e（約為37％）處的深度，稱作滲透深度，用字母δ標(biāo)明：

　　δ=1/。

　　工程上常常選用的滲透深度公式是：

　　δ=（1）

　　式中：μr—相對磁導(dǎo)率，無量綱

　　σ—電導(dǎo)率單位：1/微歐姆?公分（1/ω?cm）

　　f—頻率單位：赫茲（hz）

　　δ—滲透深度單位：公分（cm）

　　結(jié)論：導(dǎo)體內(nèi)的磁場和渦流衰減很快，在滲透深度處磁場強(qiáng)度和渦流密度只需導(dǎo)體外表的1/e（約37％），幅值較大的磁場和渦流都集中在導(dǎo)體的滲透深度計(jì)劃以內(nèi)。導(dǎo)體滲透深度以下散布的磁場強(qiáng)度和渦流密度均較小，但并非沒有磁場和渦流存在。滲透深度是一個很首要的參數(shù)。

　　在渦流檢查中，缺點(diǎn)的檢出靈敏度與缺點(diǎn)處的渦流密度有關(guān)。導(dǎo)體外表渦流密度最大，具有較高的檢出靈敏度；深度逾越滲透深度，渦流密度衰減至很小，檢出靈敏度就較低。依據(jù)公式可知，只需下降頻率，就能取得較大的滲透深度。

　　相位滯后是描繪導(dǎo)體內(nèi)磁場和渦流的另一個首要物理量。

　　θ=x（2）

　　式中：θ的單位是弧度（rad）又：δ=1/

　　所以（2）式還可寫成：

　　θ=-（3）

　　當(dāng)x等于滲透深度δ時，相位滯后量為1個弧度或57.3，也就是說，在滲透深度處的磁場和渦流的相位，比外表處的磁場和渦流的相位落57.3。需求留神的是，這兒的相位滯后不應(yīng)與交流電路中電壓和電流的相位差概念稠濁。事實(shí)上，導(dǎo)體中的感應(yīng)電壓和感觸應(yīng)電流跟著深度的改動都存在相位滯后表象。

　　相位滯后在渦流檢查信號剖析中起著首要效果。在渦流探傷中，因?yàn)椴灰粯由疃确轿坏娜秉c(diǎn)處的渦流存在著相位滯后，故而這些渦流在檢查線圈中感應(yīng)的缺點(diǎn)信號就會發(fā)作相位上的差。依據(jù)信號相位與缺點(diǎn)方位之間的對應(yīng)聯(lián)絡(luò)，咱們可對缺點(diǎn)的方位進(jìn)行判定。

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