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2、場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換。

3、場(chǎng)效應(yīng)管可以用作可變電阻。

4、場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。

5、場(chǎng)效應(yīng)管可以用作電子開關(guān)。

其特點(diǎn)為

1、場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件,它通過VGS(柵源電壓)來控制ID（漏極電流）；

2、場(chǎng)效應(yīng)管的輸入端電流極小,因此它的輸入電阻很大。

3、它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,因此它的溫度穩(wěn)定性較好；

4、它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù)；

5、場(chǎng)效應(yīng)管的抗輻射能力強(qiáng)；

6、由于不存在雜亂運(yùn)動(dòng)的少子擴(kuò)散引起的散粒噪聲,所以噪聲低。

第一種命名方法與雙極型三極管相同,第三位字母J代表結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管,O代表絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。第二位字母代表材料,D是P型硅,反型層是N溝道；C是N型硅P溝道。例如,3DJ6D是結(jié)型P溝道場(chǎng)效應(yīng)三極管,3DO6C是絕緣柵型N溝道場(chǎng)效應(yīng)三極管。

第二種命名方法是CS××#,CS代表場(chǎng)效應(yīng)管,××以數(shù)字代表型號(hào)的序號(hào),#用字母代表同一型號(hào)中的不同規(guī)格。例如CS14A、CS45G等。

在過渡層由于沒有電子、空穴的自由移動(dòng),在理想狀態(tài)下幾乎具有絕緣特性,通常電流也難流動(dòng)。但是此時(shí)漏極-源極間的電場(chǎng),實(shí)際上是兩個(gè)過渡層接觸漏極與門極下部附近,由于漂移電場(chǎng)拉去的高速電子通過過渡層。因漂移電場(chǎng)的強(qiáng)度幾乎不變產(chǎn)生ID的飽和現(xiàn)象。其次,VGS向負(fù)的方向變化,讓VGS=VGS(off),此時(shí)過渡層大致成為覆蓋全區(qū)域的狀態(tài)。而且VDS的電場(chǎng)大部分加到過渡層上,將電子拉向漂移方向的電場(chǎng),只有靠近源極的很短部分,這更使電流不能流通。

按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種；按導(dǎo)電方式：耗盡型與增強(qiáng)型,結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管均為耗盡型,絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管既有耗盡型的,也有增強(qiáng)型的。

場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管,而MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型；P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）

1、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的分類：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管有兩種結(jié)構(gòu)形式,它們是N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管。

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管也具有三個(gè)電極,它們是：柵極；漏極；源極。電路符號(hào)中柵極的箭頭方向可理解為兩個(gè)PN結(jié)的正向?qū)щ姺较颉?/P>

2、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理(以N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管為例),N溝道結(jié)構(gòu)型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及符號(hào),由于PN結(jié)中的載流子已經(jīng)耗盡,故PN基本上是不導(dǎo)電的,形成了所謂耗盡區(qū),當(dāng)漏極電源電壓ED一定時(shí),如果柵極電壓越負(fù),PN結(jié)交界面所形成的耗盡區(qū)就越厚,則漏、源極之間導(dǎo)電的溝道越窄,漏極電流ID就愈�。环粗�,如果柵極電壓沒有那么負(fù),則溝道變寬,ID變大,所以用柵極電壓EG可以控制漏極電流ID的變化,就是說,場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件。

絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管

1、絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）的分類：絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管也有兩種結(jié)構(gòu)形式,它們是N溝道型和P溝道型。無論是什么溝道,它們又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種。

2、它是由金屬、氧化物和半導(dǎo)體所組成,所以又稱為金屬—氧化物—半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管,簡(jiǎn)稱MOS場(chǎng)效應(yīng)管。

3、絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理(以N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管)它是利用UGS來控制“感應(yīng)電荷”的多少,以改變由這些“感應(yīng)電荷”形成的導(dǎo)電溝道的狀況,然后達(dá)到控制漏極電流的目的。在制造管子時(shí),通過工藝使絕緣層中出現(xiàn)大量正離子,故在交界面的另一側(cè)能感應(yīng)出較多的負(fù)電荷,這些負(fù)電荷把高滲雜質(zhì)的N區(qū)接通,形成了導(dǎo)電溝道,即使在VGS=0時(shí)也有較大的漏極電流ID。當(dāng)柵極電壓改變時(shí),溝道內(nèi)被感應(yīng)的電荷量也改變,導(dǎo)電溝道的寬窄也隨之而變,因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。

場(chǎng)效應(yīng)管的工作方式有兩種：當(dāng)柵壓為零時(shí)有較大漏極電流的稱為耗散型；當(dāng)柵壓為零,漏極電流也為零,必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱為增強(qiáng)型。

飽和漏極電流IDSS它可定義為：當(dāng)柵、源極之間的電壓等于零,而漏、源極之間的電壓大于夾斷電壓時(shí),對(duì)應(yīng)的漏極電流。

夾斷電壓UP它可定義為：當(dāng)UDS一定時(shí),使ID減小到一個(gè)微小的電流時(shí)所需的UGS。

開啟電壓UT它可定義為：當(dāng)UDS一定時(shí),使ID到達(dá)某一個(gè)數(shù)值時(shí)所需的UGS。

交流參數(shù)

低頻跨導(dǎo)gm它是描述柵、源電壓對(duì)漏極電流的控制作用。

極間電容場(chǎng)效應(yīng)管三個(gè)電極之間的電容,它的值越小表示管子的性能越好。

極限參數(shù)

漏、源擊穿電壓當(dāng)漏極電流急劇上升時(shí),產(chǎn)生雪崩擊穿時(shí)的UDS。

柵極擊穿電壓結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管正常工作時(shí),柵、源極之間的PN結(jié)處于反向偏置狀態(tài),若電流過高,則產(chǎn)生擊穿現(xiàn)象。

2、判定柵極：用萬用表黑表筆碰觸管子的一個(gè)電極,紅表筆分別碰觸另外兩個(gè)電極。若兩次測(cè)出的阻值都很小,說明均是正向電阻,該管屬于N溝道場(chǎng)效應(yīng)管,黑表筆接的也是柵極�！�

3 、制造工藝決定了場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極是對(duì)稱的,可以互換使用,并不影響電路的正常工作,所以不必加以區(qū)分。源極與漏極間的電阻約為幾千歐。注意不能用此法判定絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的柵極。因?yàn)檫@種管子的輸入電阻極高,柵源間的極間電容又很小,測(cè)量時(shí)只要有少量的電荷,就可在極間電容上形成很高的電壓,容易將管子損壞。

4、估測(cè)場(chǎng)效應(yīng)管的放大能力,將萬用表撥到R×100檔,紅表筆接源極S,黑表筆接漏極D,相當(dāng)于給場(chǎng)效應(yīng)管加上1.5V的電源電壓。這時(shí)表針指示出的是D-S極間電阻值。然后用手指捏柵極G,將人體的感應(yīng)電壓作為輸入信號(hào)加到柵極上。由于管子的放大作用,UDS和ID都將發(fā)生變化,也相當(dāng)于D-S極間電阻發(fā)生變化,可觀察到表針有較大幅度的擺動(dòng)。如果手捏柵極時(shí)表針擺動(dòng)很小,說明管子的放大能力較弱；若表針不動(dòng),說明管子已經(jīng)損壞。

由于人體感應(yīng)的50Hz交流電壓較高,而不同的場(chǎng)效應(yīng)管用電阻檔測(cè)量時(shí)的工作點(diǎn)可能不同,因此用手捏柵極時(shí)表針可能向右擺動(dòng),也可能向左擺動(dòng)。少數(shù)的管子RDS減小,使表針向右擺動(dòng),多數(shù)管子的RDS增大,表針向左擺動(dòng)。無論表針的擺動(dòng)方向如何,只要能有明顯地?cái)[動(dòng),就說明管子具有放大能力。本方法也適用于測(cè)MOS管。為了保護(hù)MOS場(chǎng)效應(yīng)管,必須用手握住螺釘旋具絕緣柄,用金屬桿去碰柵極,以防止人體感應(yīng)電荷直接加到柵極上,將管子損壞�！�

MOS管每次測(cè)量完畢,G-S結(jié)電容上會(huì)充有少量電荷,建立起電壓UGS,再接著測(cè)時(shí)表針可能不動(dòng),此時(shí)將G-S極間短路即可。

根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象,可以判別出結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)

電極。具體方法：將萬用表撥在R×1k檔上,任選兩個(gè)電極,分別測(cè)出其正、反向電阻值。當(dāng)某兩個(gè)電極的正、反向電阻值相等,且為幾千歐姆時(shí),則該兩個(gè)電極分別是漏極D和源極S。因?yàn)閷?duì)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管而言,漏極和源極可互換,剩下的電極肯定是柵極G。也可以將萬用表的黑表筆（紅表筆也行）任意接觸一個(gè)電極,另一只表筆依次去接觸其余的兩個(gè)電極,測(cè)其電阻值。當(dāng)出現(xiàn)兩次測(cè)得的電阻值近似相等時(shí),則黑表筆所接觸的電極為柵極,其余兩電極分別為漏極和源極。若兩次測(cè)出的電阻值均很大,說明是PN結(jié)的反向,即都是反向電阻,可以判定是N溝道場(chǎng)效應(yīng)管,且黑表筆接的是柵極；若兩次測(cè)出的電阻值均很小,說明是正向PN結(jié),即是正向電阻,判定為P溝道場(chǎng)效應(yīng)管,黑表筆接的也是柵極。若不出現(xiàn)上述情況,可以調(diào)換黑、紅表筆按上述方法進(jìn)行測(cè)試,直到判別出柵極為止。

電阻法測(cè)好壞

測(cè)電阻法是用萬用表測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)管的源極與漏極、柵極與源極、柵極與漏極、柵極G1與柵極G2之間的電阻值同場(chǎng)效應(yīng)管手冊(cè)標(biāo)明的電阻值是否相符去判別管的好壞。具體方法：首先將萬用表置于R×10或R×100檔,測(cè)量源極S與漏極D之間的電阻,通常在幾十歐到幾千歐范圍（在手冊(cè)中可知,各種不同型號(hào)的管,其電阻值是各不相同的）,如果測(cè)得阻值大于正常值,可能是由于內(nèi)部接觸不良；如果測(cè)得阻值是無窮大,可能是內(nèi)部斷極。然后把萬用表置于R×10k檔,再測(cè)柵極G1與G2之間、柵極與源極、柵極與漏極之間的電阻值,當(dāng)測(cè)得其各項(xiàng)電阻值均為無窮大,則說明管是正常的；若測(cè)得上述各阻值太小或?yàn)橥��?則說明管是壞的。要注意,若兩個(gè)柵極在管內(nèi)斷極,可用元件代換法進(jìn)行檢測(cè)。

測(cè)放大能力

用感應(yīng)信號(hào)法具體方法：用萬用表電阻的R×100檔,紅表筆接源極S,黑表筆接漏極D,給場(chǎng)效應(yīng)管加上1.5V的電源電壓,此時(shí)表針指示出的漏源極間的電阻值。然后用手捏住結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的柵極G,將人體的感應(yīng)電壓信號(hào)加到柵極上。這樣,由于管的放大作用,漏源電壓VDS和漏極電流Ib都要發(fā)生變化,也就是漏源極間電阻發(fā)生了變化,由此可以觀察到表針有較大幅度的擺動(dòng)。如果手捏柵極表針擺動(dòng)較小,說明管的放大能力較差；表針擺動(dòng)較大,表明管的放大能力大；若表針不動(dòng),說明管是壞的。

根據(jù)上述方法,用萬用表的R×100檔,測(cè)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管3DJ2F。先將管的G極開路,測(cè)得漏源電阻RDS為600Ω,用手捏住G極后,表針向左擺動(dòng),指示的電阻RDS為12kΩ,表針擺動(dòng)的幅度較大,說明該管是好的,并有較大的放大能力。

運(yùn)用這種方法時(shí)要說明幾點(diǎn)：首先,在測(cè)試場(chǎng)效應(yīng)管用手捏住柵極時(shí),萬用表針可能向右擺動(dòng)（電阻值減�。�,也可能向左擺動(dòng)（電阻值增加）。這是由于人體感應(yīng)的交流電壓較高,而不同的場(chǎng)效應(yīng)管用電阻檔測(cè)量時(shí)的工作點(diǎn)可能不同（或者工作在飽和區(qū)或者在不飽和區(qū)）所致,試驗(yàn)表明,多數(shù)管的RDS增大,即表針向左擺動(dòng)；少數(shù)管的RDS減小,使表針向右擺動(dòng)。但無論表針擺動(dòng)方向如何,只要表針擺動(dòng)幅度較大,就說明管有較大的放大能力。第二,此方法對(duì)MOS場(chǎng)效應(yīng)管也適用。但要注意,MOS場(chǎng)效應(yīng)管的輸人電阻高,柵極G允許的感應(yīng)電壓不應(yīng)過高,所以不要直接用手去捏柵極,必須用于握螺絲刀的絕緣柄,用金屬桿去碰觸柵極,以防止人體感應(yīng)電荷直接加到柵極,引起柵極擊穿。第三,每次測(cè)量完畢,應(yīng)當(dāng)G-S極間短路一下。這是因?yàn)镚-S結(jié)電容上會(huì)充有少量電荷,建立起VGS電壓,造成再進(jìn)行測(cè)量時(shí)表針可能不動(dòng),只有將G-S極間電荷短路放掉才行。

無標(biāo)示管的判別

首先用測(cè)量電阻的方法找出兩個(gè)有電阻值的管腳,也就是源極S和漏極D,余下

兩個(gè)腳為第一柵極G1和第二柵極G2。把先用兩表筆測(cè)的源極S與漏極D之間的電阻值記下來,對(duì)調(diào)表筆再測(cè)量一次,把其測(cè)得電阻值記下來,兩次測(cè)得阻值較大的一次,黑表筆所接的電極為漏極D；紅表筆所接的為源極S。用這種方法判別出來的S、D極,還可以用估測(cè)其管的放大能力的方法進(jìn)行驗(yàn)證,即放大能力大的黑表筆所接的是D極；紅表筆所接地是8極,兩種方法檢測(cè)結(jié)果均應(yīng)一樣。當(dāng)確定了漏極D、源極S的位置后,按D、S的對(duì)應(yīng)位置裝人電路,一般G1、G2也會(huì)依次對(duì)準(zhǔn)位置,這就確定了兩個(gè)柵極G1、G2的位置,從而就確定了D、S、G1、G2管腳的順序。

判斷跨導(dǎo)的大小

測(cè)反向電阻值的變化判斷跨導(dǎo)的大小.對(duì)VMOSV溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)量跨導(dǎo)性能時(shí),可用紅表筆接源極S、黑表筆接漏極D,這就相當(dāng)于在源、漏極之間加了一個(gè)反向電壓。此時(shí)柵極是開路的,管的反向電阻值是很不穩(wěn)定的。將萬用表的歐姆檔選在R×10kΩ的高阻檔,此時(shí)表內(nèi)電壓較高。當(dāng)用手接觸柵極G時(shí),會(huì)發(fā)現(xiàn)管的反向電阻值有明顯地變化,其變化越大,說明管的跨導(dǎo)值越高；如果被測(cè)管的跨導(dǎo)很小,用此法測(cè)時(shí),反向阻值變化不大。

場(chǎng)效應(yīng)管的柵極相當(dāng)于晶體管的基極,源極和漏極分別對(duì)應(yīng)于晶體管的發(fā)射極和集電極。將萬用表置于R×1k檔,用兩表筆分別測(cè)量每?jī)蓚�(gè)管腳間的正、反向電阻。當(dāng)某兩個(gè)管腳間的正、反向電阻相等,均為數(shù)KΩ時(shí),則這兩個(gè)管腳為漏極D和源極S（可互換）,余下的一個(gè)管腳即為柵極G。對(duì)于有4個(gè)管腳的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管,另外一極是屏蔽極（使用中接地）。

判定柵極

用萬用表黑表筆碰觸管子的一個(gè)電極,紅表筆分別碰觸另外兩個(gè)電極。若兩次測(cè)出的阻值都很小,說明均是正向電阻,該管屬于N溝道場(chǎng)效應(yīng)管,黑表筆接的也是柵極。制造工藝決定了場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極是對(duì)稱的,可以互換使用,并不影響電路的正常工作,所以不必加以區(qū)分。源極與漏極間的電阻約為幾千歐。

注意不能用此法判定絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的柵極。因?yàn)檫@種管子的輸入電阻極高,柵源間的極間電容又很小,測(cè)量時(shí)只要有少量的電荷,就可在極間電容上形成很高的電壓,容易將管子損壞。

估測(cè)放大能力

將萬用表撥到R×100檔,紅表筆接源極S,黑表筆接漏極D,相當(dāng)于給場(chǎng)效應(yīng)管加上1.5V的電源電壓。這時(shí)表針指示出的是D-S極間電阻值。然后用手指捏柵極G,將人體的感應(yīng)電壓作為輸入信號(hào)加到柵極上。由于管子的放大作用,UDS和ID都將發(fā)生變化,也相當(dāng)于D-S極間電阻發(fā)生變化,可觀察到表針有較大幅度的擺動(dòng)。如果手捏柵極時(shí)表針擺動(dòng)很小,說明管子的放大能力較弱；若表針不動(dòng),說明管子已經(jīng)損壞。由于人體感應(yīng)的50Hz交流電壓較高,而不同的場(chǎng)效應(yīng)管用電阻檔測(cè)量時(shí)的工作點(diǎn)可能不同,因此用手捏柵極時(shí)表針可能向右擺動(dòng),也可能向左擺動(dòng)。少數(shù)的管子RDS減小,使表針向右擺動(dòng),多數(shù)管子的RDS增大,表針向左擺動(dòng)。無論表針的擺動(dòng)方向如何,只要能有明顯地?cái)[動(dòng),就說明管子具有放大能力。

本方法也適用于測(cè)MOS管。為了保護(hù)MOS場(chǎng)效應(yīng)管,必須用手握住螺釘旋具絕緣柄,用金屬桿去碰柵極,以防止人體感應(yīng)電荷直接加到柵極上,將管子損壞。

MOS管每次測(cè)量完畢,G-S結(jié)電容上會(huì)充有少量電荷,建立起電壓UGS,再接著測(cè)時(shí)表針可能不動(dòng),此時(shí)將G-S極間短路一下即可。

2、輸出特性： UDS與ID的關(guān)系稱為輸出特性。

3、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的放大作用：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的放大作用一般指的是電壓放大作用。

貼片場(chǎng)效應(yīng)管

1、場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件,管子的導(dǎo)電情況取決于柵極電壓的高低。晶體管是電流控制器件,管子的導(dǎo)電情況取決于基極電流的大小。 2：場(chǎng)效應(yīng)管漏源靜態(tài)伏安特性以柵極電壓UGS為參變量,晶體管輸出特性曲線以基極電流Ib 為參變量。

3、場(chǎng)效應(yīng)管電流IDS與柵極UGS之間的關(guān)系由跨導(dǎo)Gm 決定,晶體管電流Ic與Ib 之間的關(guān)系由放大系數(shù)β決定。也就是說,場(chǎng)效應(yīng)管的放大能力用Gm 衡量,晶體管的放大能力用β衡量。

4、場(chǎng)效應(yīng)管的輸入阻抗很大,輸入電流極小；晶體管輸入阻抗很小,在導(dǎo)電時(shí)輸入電流較大。

5、一般場(chǎng)效應(yīng)管功率較小,晶體管功率較大。

2、各類型場(chǎng)效應(yīng)管在使用時(shí),都要嚴(yán)格按要求的偏置接人電路中,要遵守場(chǎng)效應(yīng)管偏置的極性。如結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管柵源漏之間是PN結(jié),N溝道管柵極不能加正偏壓；P溝道管柵極不能加負(fù)偏壓,等等。

3、MOS場(chǎng)效應(yīng)管由于輸入阻抗極高,所以在運(yùn)輸、貯藏中必須將引出腳短路,要用金屬屏蔽包裝,以防止外來感應(yīng)電勢(shì)將柵極擊穿。尤其要注意,不能將MOS場(chǎng)效應(yīng)管放入塑料盒子內(nèi),保存時(shí)最好放在金屬盒內(nèi),同時(shí)也要注意管的防潮。

4、為了防止場(chǎng)效應(yīng)管柵極感應(yīng)擊穿,要求一切測(cè)試儀器、工作臺(tái)、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地；管腳在焊接時(shí),先焊源極；在連入電路之前,管的全部引線端保持互相短接狀態(tài),焊接完后才把短接材料去掉；從元器件架上取下管時(shí),應(yīng)以適當(dāng)?shù)姆绞酱_保人體接地如采用接地環(huán)等；當(dāng)然,如果能采用先進(jìn)的氣熱型電烙鐵,焊接場(chǎng)效應(yīng)管是比較方便的,并且確保安全；在未關(guān)斷電源時(shí),絕對(duì)不可以把管插人電路或從電路中拔出。以上安全措施在使用場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)必須注意。

5、在安裝場(chǎng)效應(yīng)管時(shí),注意安裝的位置要盡量避免靠近發(fā)熱元件；為了防管件振動(dòng),有必要將管殼體緊固起來；管腳引線在彎曲時(shí),應(yīng)當(dāng)大于根部尺寸5毫米處進(jìn)行,以防止彎斷管腳和引起漏氣等。

6、使用VMOS管時(shí)必須加合適的散熱器后。以VNF306為例,該管子加裝140×140×4（mm）的散熱器后,最大功率才能達(dá)到30W。

7、多管并聯(lián)后,由于極間電容和分布電容相應(yīng)增加,使放大器的高頻特性變壞,通過反饋容易引起放大器的高頻寄生振蕩。為此,并聯(lián)復(fù)合管管子一般不超過4個(gè),而且在每管基極或柵極上串接防寄生振蕩電阻。

8、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的柵源電壓不能接反,可以在開路狀態(tài)下保存,而絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管在不使用時(shí),由于它的輸入電阻非常高,須將各電極短路,以免外電場(chǎng)作用而使管子損壞。

9、焊接時(shí),電烙鐵外殼必須裝有外接地線,以防止由于電烙鐵帶電而損壞管子。對(duì)于少量焊接,也可以將電烙鐵燒熱后拔下插頭或切斷電源后焊接。特別在焊接絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管時(shí),要按源極－漏極－柵極的先后順序焊接,并且要斷電焊接。

10、用25W電烙鐵焊接時(shí)應(yīng)迅速,若用45～75W電烙鐵焊接,應(yīng)用鑷子夾住管腳根部以幫助散熱。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管可用表電阻檔定性地檢查管子的質(zhì)量（檢查各PN結(jié)的正反向電阻及漏源之間的電阻值）,而絕緣柵場(chǎng)效管不能用萬用表檢查,必須用測(cè)試儀,而且要在接入測(cè)試儀后才能去掉各電極短路線。取下時(shí),則應(yīng)先短路再取下,關(guān)鍵在于避免柵極懸空。

在要求輸入阻抗較高的場(chǎng)合使用時(shí),必須采取防潮措施,以免由于溫度影響使場(chǎng)效應(yīng)管的輸入電阻降低。如果用四引線的場(chǎng)效應(yīng)管,其襯底引線應(yīng)接地。陶瓷封裝的芝麻管有光敏特性,應(yīng)注意避光使用。

對(duì)于功率型場(chǎng)效應(yīng)管,要有良好的散熱條件。因?yàn)楣β市蛨?chǎng)效應(yīng)管在高負(fù)荷條件下運(yùn)用,必須設(shè)計(jì)足夠的散熱器,確保殼體溫度不超過額定值,使器件長(zhǎng)期穩(wěn)定可靠地工作。

總之,確保場(chǎng)效應(yīng)管安全使用,要注意的事項(xiàng)是多種多樣,采取的安全措施也是各種各樣,廣大的專業(yè)技術(shù)人員,特別是廣大的電子愛好者,都要根據(jù)自己的實(shí)際情況出發(fā),采取切實(shí)可行的辦法,安全有效地用好場(chǎng)效應(yīng)管。

場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,所以稱之為單極型器件,而晶體管是即有多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電,被稱之為雙極型器件。

有些場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負(fù),靈活性比晶體管好。

場(chǎng)效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的制造工藝可以很方便地把很多場(chǎng)效應(yīng)管集成在一塊硅片上,因此場(chǎng)效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應(yīng)用。

場(chǎng)效應(yīng)器件憑借其低功耗、性能穩(wěn)定、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢(shì),在集成電路中已經(jīng)有逐漸取代三極管的趨勢(shì)。但它還是非常嬌貴的,雖然現(xiàn)在多數(shù)已經(jīng)內(nèi)置了保護(hù)二極管,但稍不注意,也會(huì)損壞。所以在應(yīng)用中還是小心為妙。

1、場(chǎng)效應(yīng)管的源極s、柵極g、漏極d分別對(duì)應(yīng)于三極管的發(fā)射極e、基極b、集電極c,它們的作用相似。

2、場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制電流器件,由vGS控制iD,其放大系數(shù)gm一般較小,因此場(chǎng)效應(yīng)管的放大能力較差；三極管是電流控制電流器件,由iB（或iE）控制iC。

3、場(chǎng)效應(yīng)管柵極幾乎不取電流（ig»0）；而三極管工作時(shí)基極總要吸取一定的電流。因此場(chǎng)效應(yīng)管的輸入電阻比三極管的輸入電阻高。

4、場(chǎng)效應(yīng)管只有多子參與導(dǎo)電；三極管有多子和少子兩種載流子參與導(dǎo)電,而少子濃度受溫度、輻射等因素影響較大,因而場(chǎng)效應(yīng)管比晶體管的溫度穩(wěn)定性好、抗輻射能力強(qiáng)。在環(huán)境條件（溫度等）變化很大的情況下應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管。

5、場(chǎng)效應(yīng)管在源極水與襯底連在一起時(shí),源極和漏極可以互換使用,且特性變化不大；而三極管的集電極與發(fā)射極互換使用時(shí),其特性差異很大,b值將減小很多。

6、場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲系數(shù)很小,在低噪聲放大電路的輸入級(jí)及要求信噪比較高的電路中要選用場(chǎng)效應(yīng)管。

7、場(chǎng)效應(yīng)管和三極管均可組成各種放大電路和開路電路,但由于前者制造工藝簡(jiǎn)單,且具有耗電少,熱穩(wěn)定性好,工作電源電壓范圍寬等優(yōu)點(diǎn),因而被廣泛用于大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中。

8、三極管導(dǎo)通電阻大,場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通電阻小,只有幾百毫歐姆,在現(xiàn)在的用電器件上,一般都用場(chǎng)效應(yīng)管做開關(guān)來用,他的效率是比較高的 。

場(chǎng)效應(yīng)晶體管于1925年由Julius Edgar Lilienfeld和于1934年由Oskar Heil分別發(fā)明,但是實(shí)用的器件一直到1952年才被制造出來（結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管,Junction-FET,JFET）。1960年Dawan Kahng發(fā)明了金屬氧化物半導(dǎo)體效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-effect transistor, mosfet）,從而大部分代替了JFET,對(duì)電子行業(yè)的發(fā)展有著深遠(yuǎn)的意義。

電極

所有的FET都有柵極（gate）、漏極（drain）、源極（source）三個(gè)端,分別大致對(duì)應(yīng)BJT的基極（base）、集電極（collector）和發(fā)射極（emitter）。除JFET以外,所有的FET也有第四端,被稱為體（body）、基（base）、塊體（bulk）或襯底（substrate）。這個(gè)第四端可以將晶體管調(diào)制至運(yùn)行；在電路設(shè)計(jì)中,很少讓體端發(fā)揮大的作用,但是當(dāng)物理設(shè)計(jì)一個(gè)集成電路的時(shí)候,它的存在就是重要的。在圖中柵極的長(zhǎng)度（length）L,是指源和漏的距離。寬度（width）是指晶體管的范圍,在圖中和橫截面垂直。通常情況下寬度比長(zhǎng)度大得多。長(zhǎng)度1微米的柵極限制最高頻率約為5GHz,0.2微米則是約30GHz。

這些端的名稱和它們的功能有關(guān)。柵極可以被認(rèn)為是控制一個(gè)物理柵的開關(guān)。這個(gè)柵極可以通過制造或者消除源極和漏極之間的溝道,從而允許或者阻礙電子流過。如果受一個(gè)加上的電壓影響,電子流將從源極流向漏極。體很簡(jiǎn)單的就是指柵、漏、源極所在的半導(dǎo)體的塊體。通常體端和一個(gè)電路中最高或最低的電壓相連,根據(jù)類型不同而不同。體端和源極有時(shí)連在一起,因?yàn)橛袝r(shí)源也連在電路中最高或最低的電壓上。當(dāng)然有時(shí)一些電路中FET并沒有這樣的結(jié)構(gòu),比如級(jí)聯(lián)傳輸電路和串疊式電路。

組成

FET由各種半導(dǎo)體構(gòu)成,目前硅是最常見的。大部分的FET是由傳統(tǒng)塊體半導(dǎo)體制造技術(shù)制造,使用單晶體半導(dǎo)體硅片作為反應(yīng)區(qū),或者溝道。

大部分的不常見體材料,主要有非晶硅、多晶硅或其它在晶體管中,或者有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的非晶半導(dǎo)體。有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管基于有機(jī)半導(dǎo)體,常常用有機(jī)柵絕緣體和電極。