門(mén)極可關(guān)斷晶閘管
GTO的內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖和電氣圖形符號(hào)
GTO的工作原理
從圖中可知PNP和NPN構(gòu)成了二個(gè)晶閘管V1 V2分別有共基極電流增益a1和a2。
1、當(dāng)a1+a2=1時(shí),是器件臨界導(dǎo)通的條件。
2、當(dāng)a1+a2>1時(shí),是二個(gè)晶體管過(guò)飽和導(dǎo)通的條件。
3、當(dāng)a1+a2<1時(shí),是不能維持飽和導(dǎo)通而關(guān)斷的條件。
2、使得a1+a2趨向與1,普通晶閘管a1+a2>=1.15,而GTO的近似為1.05,這樣GTO導(dǎo)通時(shí)飽和程度不深,更接近與臨界飽和,為門(mén)極可關(guān)斷控制提供了有力條件。不利因素,導(dǎo)通是管壓降增大了。
3、集成結(jié)構(gòu)中每個(gè)GTO單元的陰極面積小,門(mén)極和陰極間的距離大為縮短,使得P2基區(qū)的橫向電阻很小,使門(mén)極抽出較大的電流成為可能。
4、它比普通晶閘管開(kāi)通過(guò)程快,承受的電壓能力強(qiáng)。
2、電流關(guān)斷增益βOff=IATO/IGM
IGM是門(mén)極負(fù)脈沖電流最大值 βOff一般只有5左右這是GTO的主要缺點(diǎn)
3、開(kāi)通時(shí)間Ton 開(kāi)通時(shí)間指延遲時(shí)間與上升時(shí)間之和.GTO的延遲時(shí)間一般為1~2us,上升時(shí)間則隨同態(tài)陽(yáng)極電流值的增大而增大。
4、關(guān)斷時(shí)間Toff 關(guān)斷時(shí)間指存儲(chǔ)時(shí)間與下降時(shí)間之和,而不包括尾部時(shí)間。GTO的存儲(chǔ)時(shí)間則隨陽(yáng)極電流值的增大而增大,下降時(shí)間一般小于2us。
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