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傾佳電子專業(yè)分銷basic基本碳化硅sic功率mosfe,basic基本碳化硅mosfet模塊,basic基本單管igbt,basic基本igbt模塊,basic基本三電平igbt模塊,basic基本i型三電平igbt模塊,basic基本t型三電平igbt模塊,basic基本混合sic-igbt單管,basic基本混合sic-igbt模塊,單通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片btd5350,雙通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片btd21520,單通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片（帶vce保護(hù)）btd3011,basic基本混合sic-igbt三電平模塊應(yīng)用于光伏逆變器,雙向ac-dc電源,戶用光伏逆變器,戶用光儲(chǔ)一 體機(jī),儲(chǔ)能變流器,儲(chǔ)能pcs,雙向llc電源模塊,儲(chǔ)能pcs-buck-boost電路,光儲(chǔ)一 體機(jī),pcs雙向變流器,三相維也納pfc電路,三電平llc直流變換器,移相全橋拓?fù)涞刃履茉搭I(lǐng)域。在光伏逆變器、光儲(chǔ)一 體機(jī)、儲(chǔ)能變流器pcs、obc車載充電器,熱管理電動(dòng)壓縮機(jī)驅(qū)動(dòng)器,射頻電源,pet電力電子變壓器,氫燃料空壓機(jī)驅(qū)動(dòng),大 功率工業(yè)電源,工商業(yè)儲(chǔ)能變流器,變頻器,變槳伺服驅(qū)動(dòng)輔助電源,高頻逆變焊機(jī),高頻伺服驅(qū)動(dòng),ai服務(wù)器電源,算力電源,數(shù)據(jù)中心電源,機(jī)房ups等領(lǐng)域與客戶戰(zhàn)略合作,全力支持中國(guó)電力電子工業(yè)發(fā)展！

傾佳電子專業(yè)分銷基本隔離驅(qū)動(dòng)ic產(chǎn)品主要有btd21520xx是一 款雙通道隔離門極驅(qū)動(dòng)芯片,輸出拉灌峰值電流典型值4a/6a,絕緣電壓高達(dá)5000vrms@sow14封裝、3000vrms@sop16封裝；抗干擾能力強(qiáng),高達(dá)100v/ns；低傳輸延時(shí)至45ns；分別提供 3 種管腳配置：btd21520m提供禁用管腳（dis）和死區(qū)設(shè)置（dt）,btd21520s提供禁用管腳（dis), btd21520e 提供單一 pwm輸入；副邊vdd欠壓保護(hù)點(diǎn)兩種可選：分別是5.7v和8.2v。主要規(guī)格有btd21520mawr,btd21520mbwr,btd21520sawr,btd21520sbwr,btd21520eawr,btd21520ebwr,‍btd21520mapr,btd21520mbpr,btd21520sapr,btd21520sbpr,btd21520eapr,btd21520ebpr,btd5350xx是一 款單通道隔離門極驅(qū)動(dòng)ic,輸出峰值電流典型值10a, 絕緣電壓高達(dá)5000vrms@sow8封裝,3000vrms@sop8封裝；抗干擾能力強(qiáng),高達(dá)100v/ns；傳輸延時(shí)低至60ns；分別提供 3 種管腳配置：btd5350m 提供門極米勒鉗位功能,btd5350s 提供獨(dú)立的開通和關(guān)斷輸出管腳,btd5350e 對(duì)副邊的正電源配置欠壓保護(hù)功能；副邊vcc欠壓保護(hù)點(diǎn)兩種可選：分別是8v和11v。主要規(guī)格有btd5350mbpr,btd5350mcpr,btd5350mbwr,btd5350mcwr,btd5350sbpr,btd5350scpr,btd5350sbwr‍,btd5350scwr,btd5350ebpr,btd5350ecpr,btd5350ebwr,btd5350ecwr,btd3011r是一 款單通道智能隔離門極驅(qū)動(dòng)芯片,采用磁隔離技術(shù)；絕緣電壓高達(dá)5000vrms@sow16封裝；輸出峰值電流典型值15a；管腳功能集成功率器件短路保護(hù)和短路保護(hù)后軟關(guān)斷功能,集成原副邊電源欠壓保護(hù)；集成副邊電源穩(wěn)壓器功能,此穩(wěn)壓器可以根據(jù)副邊電源輸入電壓,使驅(qū)動(dòng)管腳自動(dòng)分配正負(fù)壓,適用在給電壓等級(jí)1200v以內(nèi)的igbt或者碳化硅 mosfet驅(qū)動(dòng)。btl2752x 系列是一 款雙通道、高速、低邊門極驅(qū)動(dòng)器,輸出側(cè)采用軌到軌方式；拉電流與灌電流能力可高達(dá) 5a,上升和下降時(shí)間低至 7ns 與 6ns；芯片的兩個(gè)通道可并聯(lián)使用,以增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)電流能力；信號(hào)輸入腳最 大 可抗-5v的持續(xù)負(fù)壓,支持4個(gè)標(biāo)準(zhǔn)邏輯選項(xiàng)：btl27523帶使能雙路反相,btl27523b不帶使能雙路反相 和 btl27524帶使能雙路同相,btl27524b不帶使能雙路同相。主要規(guī)格：btl27523r,btl27523br,btl27524r,btl27524br

傾佳電子專業(yè)分銷基本國(guó)產(chǎn)車規(guī)級(jí)碳化硅(sic)mosfet,國(guó)產(chǎn)車規(guī)級(jí)aec-q101碳化硅(sic)mosfet,國(guó)產(chǎn)車規(guī)級(jí)ppap碳化硅(sic)mosfet,全碳化硅mosfet模塊,easy封裝全碳化硅mosfet模塊,62mm封裝全碳化硅mosfet模塊,full sic module,sic mosfet模塊適用于超級(jí)充電樁,v2g充電樁,高壓柔性直流輸電智能電網(wǎng)(hvdc),空調(diào)熱泵驅(qū)動(dòng),機(jī)車輔助電源,儲(chǔ)能變流器pcs,光伏逆變器,超高頻逆變焊機(jī),超高頻伺服驅(qū)動(dòng)器,高速電機(jī)變頻器等,光伏逆變器專用直流升壓模塊boost module,儲(chǔ)能pcs變流器anpc三電平碳化硅mosfet模塊,光儲(chǔ)碳化硅mosfet。專業(yè)分銷基本sic碳化硅mosfet模塊及分立器件,全力支持中國(guó)電力電子工業(yè)發(fā)展！

汽車級(jí)全碳化硅功率模塊是基本半導(dǎo)體為新能源汽車主逆變器應(yīng)用需求而研發(fā)推出的系列mosfet功率模塊產(chǎn)品,包括pcore™6‍汽車級(jí)hpd模塊、‍pcore™2‍汽車級(jí)dcm模塊、‍pcore™1‍汽車級(jí)tpak模塊、pcore™2‍汽車級(jí)ed3模塊等,采用銀燒結(jié)技術(shù)等基本半導(dǎo)體最 新的碳化硅 mosfet 設(shè)計(jì)生產(chǎn)工藝,綜合性能達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平,通過(guò)提升動(dòng)力系統(tǒng)逆變器的轉(zhuǎn)換效率,進(jìn)而提高新能源汽車的能源效率和續(xù)航里程。主要產(chǎn)品規(guī)格有：bms800r12hwc4_b02,bms600r12hwc4_b01,bms950r12hwc4_b02,bms700r12hwc4_b01,bms800r12hlwc4_b02,bms600r12hlwc4_b01,bms950r12hlwc4_b02,bms700r12hlwc4_b01,bmf800r12fc4,bmf600r12fc4,bmf950r08fc4,bmf700r08fc4,bmz200r12tc4,bmz250r08tc4

傾佳電子專業(yè)分銷basic基本碳化硅(sic)mosfet專用雙通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片btd25350,原方帶死區(qū)時(shí)間設(shè)置,副方帶米勒鉗位功能,為碳化硅功率器件sic mosfet驅(qū)動(dòng)而優(yōu)化。

btd25350適用于以下碳化硅功率器件應(yīng)用場(chǎng)景：

充電樁中后級(jí)llc用sic mosfet 方案

光伏儲(chǔ)能buck-boost中sic mosfet方案

高頻apf,用兩電平的三相全橋sic mosfet方案

空調(diào)壓縮機(jī)三相全橋sic mosfet方案

obc后級(jí)llc中的sic mosfet方案

服務(wù)器交流側(cè)圖騰柱pfc高頻臂gan或者sic方案

基本再度亮相全球功率半導(dǎo)體展會(huì)——pcim europe 2023,在德國(guó)紐倫堡正式發(fā)布第 二代碳化硅mosfet新品。新一 代產(chǎn)品性能大 幅提升,產(chǎn)品類型進(jìn)一 步豐富,助力新能源汽車、直流快充、光伏儲(chǔ)能、工業(yè)電源、通信電源等行業(yè)實(shí)現(xiàn)更為出色的能源效率和應(yīng)用可靠性。

傾佳電子專業(yè)分銷的basic基本第 二代sic碳化硅mosfet兩大 主要特色：

1.出類拔萃的可靠性：相對(duì)競(jìng)品較為充足的設(shè)計(jì)余量來(lái)確保大 規(guī)模制造時(shí)的器件可靠性。

basic基本第 二代sic碳化硅mosfet 1200v系列擊穿電壓bv值實(shí)測(cè)在1700v左右,高于市面主流競(jìng)品,擊穿電壓bv設(shè)計(jì)余量可以抵御碳化硅襯底外延材料及晶圓流片制程的擺動(dòng),能夠確保大 批量制造時(shí)的器件可靠性,這是basic基本第 二代sic碳化硅mosfet最 關(guān)鍵的品質(zhì).

2.可圈可點(diǎn)的器件性能：同規(guī)格較小的crss帶來(lái)出色的開關(guān)性能。

basic基本第 二代sic碳化硅mosfet反向傳輸電容crss 在市面主流競(jìng)品中是比較小的,帶來(lái)關(guān)斷損耗eoff也是市面主流產(chǎn)品中非常出色的,優(yōu)于部分海外競(jìng)品,特別適用于llc應(yīng)用.

ciss：輸入電容（ciss＝cgd＋cgs） ⇒柵極-漏極和柵極-源極電容之和：它影響延遲時(shí)間；ciss越大 ,延遲時(shí)間越長(zhǎng)。basic基本第 二代sic碳化硅mosfet 優(yōu)于主流競(jìng)品。

crss：反向傳輸電容（crss＝cgd） ⇒柵極-漏極電容：crss越小,漏極電流上升特性越好,這有利于mosfet的損耗,在開關(guān)過(guò)程中對(duì)切換時(shí)間起決定作用,高速驅(qū)動(dòng)需要低crss。

coss：輸出電容（coss＝cgd＋cds）⇒柵極-漏極和漏極-源極電容之和：它影響關(guān)斷特性和輕載時(shí)的損耗。如果coss較大 ,關(guān)斷dv／dt減小,這有利于噪聲。但輕載時(shí)的損耗增加。

傾佳電子專業(yè)分銷的基本b2m第 二代碳化硅mosfet器件主要特色：

• 比導(dǎo)通電阻降低40％左右

• qg降低了60％左右

• 開關(guān)損耗降低了約30％

• 降低coss參數(shù),更適合軟開關(guān)

• 降低crss,及提高ciss/crss比值,降低器件在串?dāng)_行為下誤導(dǎo)通風(fēng)險(xiǎn)

• 最 大 工作結(jié)溫175℃• htrb、 htgb+、 htgb-可靠性按結(jié)溫tj=175℃通過(guò)測(cè)試

• 優(yōu)化柵氧工藝,提高可靠性

• 高可靠性鈍化工藝

• 優(yōu)化終端環(huán)設(shè)計(jì),降低高溫漏電流

• aec-q101

碳化硅mosfet具有優(yōu)秀的高頻、高壓、高溫性能,是目前電力電子領(lǐng)域最 受關(guān)注的寬禁帶功率半導(dǎo)體器件。在電力電子系統(tǒng)中應(yīng)用碳化硅mosfet器件替代傳統(tǒng)硅igbt器件,可提高功率回路開關(guān)頻率,提升系統(tǒng)效率及功率密度,降低系統(tǒng)綜合成本。適用于高性能變換器電路與數(shù)字化先進(jìn)控制、高效率 dc/dc 拓?fù)渑c控制,雙向 ac/dc、電動(dòng)汽車車載充電機(jī)（obc）/雙向obc、車載電源、集成化 obc ,雙向 dc/dc、多端口 dc/dc 拓?fù)渑c控制,直流配網(wǎng)的電力電子變換器。sic mosfet越來(lái)越多地用于高壓電源轉(zhuǎn)換器,因?yàn)樗鼈兛梢詽M足這些應(yīng)用對(duì)尺寸、重量和/或效率的嚴(yán)格要求.

碳化硅 (sic) mosfet功率半導(dǎo)體技術(shù)代表了電力電子領(lǐng)域的根本性變革。sic mosfet 的價(jià)格比 si mosfet 或 si igbt 貴。然而,在評(píng)估碳化硅 (sic) mosfet提供的整體電力電子系統(tǒng)價(jià)值時(shí),需要考慮整個(gè)電力電子系統(tǒng)和節(jié)能潛力。需要仔細(xì)考慮以下電力電子系統(tǒng)節(jié)�。� 第 一 降低無(wú)源元件成本,無(wú)源功率元件的成本在總體bom成本中占主導(dǎo)地位。提高開關(guān)頻率提供了一 種減小這些器件的尺寸和成本的方法。 第 二降低散熱要求,使用碳化硅 (sic) mosfet可顯著降低散熱器溫度高達(dá) 50％,從而縮小散熱器尺寸和/或消除風(fēng)扇,從而降低設(shè)備生命周期內(nèi)的能源成本。 通常的誘惑是在計(jì)算價(jià)值主張時(shí)僅考慮系統(tǒng)的組件和制造成本。在考慮碳化硅 (sic) mosfet的在電力電子系統(tǒng)里的價(jià)值時(shí),考慮節(jié)能非常重要。在電力電子設(shè)備的整個(gè)生命周期內(nèi)節(jié)省能源成本是碳化硅 (sic) mosfet價(jià)值主張的一 個(gè)重要部分。

傾佳電子專業(yè)分銷的基本第 二代碳化硅mosfet系列新品基于6英寸晶圓平臺(tái)進(jìn)行開發(fā),比上一 代產(chǎn)品在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗以及可靠性等方面表現(xiàn)更為出色。在原有to-247-3、to-247-4封裝的產(chǎn)品基礎(chǔ)上,基本還推出了帶有輔助源極的to-247-4-plus、to-263-7及sot-227封裝的碳化硅mosfet器件,以更好地滿足客戶需求。

基本第 二代碳化硅mosfet亮點(diǎn)

更低比導(dǎo)通電阻：第 二代碳化硅mosfet通過(guò)綜合優(yōu)化芯片設(shè)計(jì)方案,比導(dǎo)通電阻降低約40％,產(chǎn)品性能顯著提升。

更低器件開關(guān)損耗：第 二代碳化硅mosfet器件qg降低了約60％,開關(guān)損耗降低了約30％。反向傳輸電容crss降低,提高器件的抗干擾能力,降低器件在串?dāng)_行為下誤導(dǎo)通的風(fēng)險(xiǎn)。

更高可靠性：第 二代碳化硅mosfet通過(guò)更高標(biāo)準(zhǔn)的htgb、htrb和h3trb可靠性考核,產(chǎn)品可靠性表現(xiàn)出色。

更高工作結(jié)溫：第 二代碳化硅mosfet工作結(jié)溫達(dá)到175°c,提高器件高溫工作能力。

傾佳電子專業(yè)分銷的基本第 二代碳化硅sic mosfet主要有b2m160120h,b2m160120z,b2m160120r,b2m080120h,b2m080120z,b2m80120r,b2m018120h,b2m018120z,b2m020120y,b2m065120h,b2m065120z,b2m065120r,b2m040120h,b2m040120z,b2m040120r,b2m032120y,b2m018120z。適用大 功率電力電子裝置的sic mosfet模塊,半橋sic mosfet模塊,anpc三電平碳化硅mosfet模塊,t型三電平模塊,mppt boost sic mosfet模塊。

b2m032120y國(guó)產(chǎn)替代英飛凌imza120r030m1h,安 森美nth4l030n120m3s以及c3m0032120k。

b2m040120z國(guó)產(chǎn)替代英飛凌imza120r040m1h,安 森美nth4l040n120m3s,nth4l040n120sc1以及c3m0040120k,意法sct040w120g3-4ag。

b2m020120y國(guó)產(chǎn)替代英飛凌imza120r020m1h,安 森美nth4l020n120sc1,nth4l022n120m3s以及c3m0021120k,意法sct015w120g3-4ag。

b2m1000170r國(guó)產(chǎn)代替英飛凌imbf170r1k0m1,安 森美ntbg1000n170m1以及c2m1000170j。

b2m065120h國(guó)產(chǎn)代替安 森美nthl070n120m3s。

b2m065120z國(guó)產(chǎn)代替英飛凌imz120r060m1h,安 森美nvh4l070n120m3s,c3m0075120k-a,意法sct070w120g3-4ag。

碳化硅 (sic) mosfet出色的材料特性使得能夠設(shè)計(jì)快速開關(guān)單極型器件,替代升級(jí)雙極型 igbt  （絕緣柵雙極晶體管）開關(guān)。碳化硅 (sic) mosfet替代igbt可以得到更高的效率、更高的開關(guān)頻率、更少的散熱和節(jié)省空間——這些好處反過(guò)來(lái)也降低了總體系統(tǒng)成本。sic-mosfet的vd-id特性的導(dǎo)通電阻特性呈線性變化,在低電流時(shí)sic-mosfet比igbt具有優(yōu)勢(shì)。

與igbt相比,sic-mosfet的開關(guān)損耗可以大 幅降低。采用硅 igbt 的電力電子裝置有時(shí)不得不使用三電平拓?fù)鋪?lái)優(yōu)化效率。當(dāng)改用碳化硅 (sic) mosfet時(shí),可以使用簡(jiǎn)單的兩級(jí)拓?fù)�。因此所需的功率元件�?shù)量實(shí)際上減少了一 半。這不僅可以降低成本,還可以減少可能發(fā)生故障的組件數(shù)量。sic mosfet 不斷改進(jìn),并越來(lái)越多地加速替代以 si igbt 為主的應(yīng)用。 sic mosfet 幾乎可用于目前使用 si igbt 的任何需要更高效率和更高工作頻率的應(yīng)用。這些應(yīng)用范圍廣泛,從太陽(yáng)能和風(fēng)能逆變器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)到感應(yīng)加熱系統(tǒng)和高壓 dc/dc 轉(zhuǎn)換器。

隨著自動(dòng)化制造、電動(dòng)汽車、先進(jìn)建筑系統(tǒng)和智能電器等行業(yè)的發(fā)展,對(duì)增強(qiáng)這些機(jī)電設(shè)備的控制、效率和功能的需求也在增長(zhǎng)。碳化硅 mosfet (sic mosfet) 的突破重新定義了歷史上使用硅 igbt (si igbt) 進(jìn)行功率逆變的電動(dòng)機(jī)的功能。這項(xiàng)創(chuàng)新擴(kuò)展了幾乎每個(gè)行業(yè)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的能力。si igbt 因其高電流處理能力、快速開關(guān)速度和低成本而歷來(lái)用于直流至交流電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。最 重要的是,si igbt 具有高額定電壓、低電壓降、低電導(dǎo)損耗和熱阻抗,使其成為制造系統(tǒng)等高功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的明顯選擇。然而,si igbt 的一 個(gè)顯著缺點(diǎn)是它們非常容易受到熱失控的影響。當(dāng)器件溫度不受控制地升高時(shí),就會(huì)發(fā)生熱失控,導(dǎo)致器件發(fā)生故障并最 終失效。在高電流、電壓和工作條件常見的電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,例如電動(dòng)汽車或制造業(yè),熱失控可能是一 個(gè)重大 的設(shè)計(jì)風(fēng)險(xiǎn)。

電力電子轉(zhuǎn)換器提高開關(guān)頻率一 直是研發(fā)索所追求的方向,因?yàn)橄嚓P(guān)組件（特別是磁性元件）可以更小,從而產(chǎn)生小型化優(yōu)勢(shì)并節(jié)省成本。然而,所有器件的開關(guān)損耗都與頻率成正比。igbt 由于“拖尾電流”以及較高的門極電容的充電/放電造成的功率損耗,igbt 很少在 20khz 以上運(yùn)行。sic mosfet在更快的開關(guān)速度和更低的功率損耗方面提供了巨大 的優(yōu)勢(shì)。igbt 經(jīng)過(guò)多年的高度改進(jìn),使得實(shí)現(xiàn)性能顯著改進(jìn)變得越來(lái)越具有挑戰(zhàn)性。例如,很難降低總體功率損耗,因?yàn)樵趥鹘y(tǒng)的 igbt 設(shè)計(jì)中,降低傳導(dǎo)損耗通常會(huì)導(dǎo)致開關(guān)損耗增加。

作為應(yīng)對(duì)這一 設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)的解決方案,sic mosfet 具有更強(qiáng)的抗熱失控能力。碳化硅 的導(dǎo)熱性更好,可以實(shí)現(xiàn)更好的設(shè)備級(jí)散熱和穩(wěn)定的工作溫度。sic mosfet 更適合較溫暖的環(huán)境條件空間,例如汽車和工業(yè)應(yīng)用。此外,鑒于其導(dǎo)熱性,sic mosfet 可以消除對(duì)額外冷卻系統(tǒng)的需求,從而有可能減小總體系統(tǒng)尺寸并降低系統(tǒng)成本。

由于 sic mosfet 的工作開關(guān)頻率比 si igbt 高得多,因此它們非常適合需要精確電機(jī)控制的應(yīng)用。高開關(guān)頻率在自動(dòng)化制造中至關(guān)重要,高精度伺服電機(jī)用于工具臂控制、精密焊接和精確物體放置。此外,與 si igbt 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器系統(tǒng)相比,sic mosfet 的一 個(gè)顯著優(yōu)勢(shì)是它們能夠嵌入電機(jī)組件中,電機(jī)控制器和逆變器嵌入與電機(jī)相同的外殼內(nèi)。使用sic mosfet 作為變頻器或者伺服驅(qū)動(dòng)功率開關(guān)器件的另一 個(gè)優(yōu)點(diǎn)是,由于 mosfet 的線性損耗與負(fù)載電流的關(guān)系,它可以在所有功率級(jí)別保持效率曲線“平坦”。sic mosfet變頻伺服驅(qū)動(dòng)器的柵極電阻的選擇是為了首先避免使用外部輸出濾波器,以保護(hù)電機(jī)免受高 dv/dt 的影響（只有電機(jī)電纜長(zhǎng)度才會(huì)衰減 dv/dt）。 sic mosfet變頻伺服驅(qū)動(dòng)器相較于igbt變頻伺服驅(qū)動(dòng)器在高開關(guān)頻率下的巨大 效率優(yōu)越性.

盡管 sic mosfet 本身成本較高,但某些應(yīng)用可能會(huì)看到整個(gè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器系統(tǒng)的價(jià)格下降（通過(guò)減少布線、無(wú)源元件、熱管理等）,并且與 si igbt 系統(tǒng)相比總體上可能更便宜。這種成本節(jié)省可能需要在兩個(gè)應(yīng)用系統(tǒng)之間進(jìn)行復(fù)雜的設(shè)計(jì)和成本研究分析,但可能會(huì)提高效率并節(jié)省成本�；�于 sic 的逆變器使電壓高達(dá) 800 v 的電氣系統(tǒng)能夠顯著延長(zhǎng)電動(dòng)汽車?yán)m(xù)航里程并將充電時(shí)間縮短一 半。

llc,移相全橋等應(yīng)用實(shí)現(xiàn)zvs主要和coss、關(guān)斷速度和體二極管壓降等參數(shù)有關(guān)。coss決定所需諧振電感儲(chǔ)能的大 小,值越大 越難實(shí)現(xiàn)zvs；更快的關(guān)斷速度可以減少對(duì)儲(chǔ)能電感能量的消耗,影響體二極管的續(xù)流維持時(shí)間或者開關(guān)兩端電壓能達(dá)到的最 低值；因?yàn)槔m(xù)流期間的主要損耗為體二極管的導(dǎo)通損耗.在這些參數(shù)方面,b2m第 二代碳化硅mosfet跟競(jìng)品比,b2m第 二代碳化硅mosfet的coss更小,需要的死區(qū)時(shí)間初始電流�。籦2m第 二代碳化硅mosfet抗側(cè)向電流觸發(fā)寄生bjt的能力會(huì)強(qiáng)一 些。b2m第 二代碳化硅mosfet體二極管的vf和trr 比競(jìng)品有較多優(yōu)勢(shì),能減少llc里面q2的硬關(guān)斷的風(fēng)險(xiǎn)。綜合來(lái)看,比起競(jìng)品,llc,移相全橋應(yīng)用中b2m第 二代碳化硅mosfet表現(xiàn)會(huì)更好.