驍龍835首次將移動(dòng)平臺(tái)帶入10納米新世代,讓移動(dòng)平臺(tái)兼有低功耗與高性能計(jì)算的特性,而高通、三星并未放緩IC設(shè)計(jì)和制程迭代的速度。

　　據(jù)韓媒Aju Business Daily報(bào)道,高通正和三星半導(dǎo)體S.LSI部門開(kāi)發(fā)新一代移動(dòng)芯片,將用于明年旗艦機(jī)Galaxy S9之上,該處理器平臺(tái)很有可能被命名為驍龍845。

　　4月19日,三星半導(dǎo)體宣布其第二代10nm FinFET工藝——10LPP（Low Power Plus）即將投產(chǎn)。隨著3D FinFET結(jié)構(gòu)的進(jìn)一步增強(qiáng),與相同面積的第一代10LPE（Low Power Early）相比,10LPP工藝最高可以提升10%的性能或降低15%的功耗。

　　有分析認(rèn)為,驍龍845很可能使用比10nm更激進(jìn)的工藝制造,理由是三星半導(dǎo)體在3月15日宣布將8nm和6nm制程添加到產(chǎn)品路線規(guī)劃中（roadmap）。預(yù)計(jì)新制程將在2018年初量產(chǎn),符合驍龍845的上市節(jié)點(diǎn)。

　　高通和三星半導(dǎo)體已有長(zhǎng)達(dá)十年的戰(zhàn)略代工合作,不過(guò)雙方未來(lái)的合作關(guān)系并不如想象中那般明朗。據(jù)知名爆料人士@i冰宇宙消息,高通和三星代工合作驍龍845為止就告一段落了。
　　　　
　　移動(dòng)平臺(tái)的未來(lái)將何去何從呢？對(duì)于消費(fèi)者而言一切都是未知數(shù),驚喜背后源自于核心硬件的突破,始終讓人葆有期待。