11月11日,第一財經(jīng)記者從美國加利福尼亞北區(qū)法院公布的信息了解到,長江存儲已于11月9日起訴美光科技有限公司（下稱“美光”）及全資子公司美光消費產(chǎn)品集團有限責任公司侵犯其8項美國專利。長江存儲在專利侵權起訴書中稱,訴訟是為了終止美光廣泛且未經(jīng)授權使用長江存儲專利創(chuàng)新。

      長江存儲是國內(nèi)最大的3D NAND Flash（閃存芯片制造）廠商。長江存儲在起訴書中提到,美光使用長江存儲的專利技術,以抵御來自長江存儲的競爭,并獲得和保護市場份額。訴訟旨在解決以下問題的一個方面：美光試圖通過迫使長江存儲退出3D NAND Flash（閃存）市場來阻止競爭和創(chuàng)新。

      長江存儲指控美光侵犯了美國專利號為“10,950,623”“11,501,822”“10,658,378”“10,937,806”“10,861,872”“11,468,957”“11,600,342”和“10,868,031”的專利。美光被控侵權的產(chǎn)品包括96層、128層、176層和232層3D NAND產(chǎn)品。

      長江存儲在以上起訴書中稱,長江存儲不再是新秀（upstart）,而已成為全球3D NAND市場的重要參與者。長江存儲表示,去年11月,分析和跟蹤閃存市場的TechInsights公司得出結論：長江存儲是3D NAND閃存領域的領導者,超過了美光。

NAND Flash和DRAM是目前最主要的兩種存儲介質(zhì),NAND Flash可制造SSD（固態(tài)硬盤）等存儲器,用于手機、服務器、PC等產(chǎn)品。集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示,今年第二季度,全球NAND Flash品牌廠商中,三星、鎧俠、SK Group、西部數(shù)據(jù)、美光的市占率分別為31.1%、19.6%、17.8%、14.7%和13%,其他廠商占比僅3.8%。

      2018年,長江存儲量產(chǎn)第一代32層3D NAND Flash芯片,2019年量產(chǎn)64層256Gb TLC 3D NAND閃存,2020年跳過96層研發(fā)兩款128層閃存產(chǎn)品。長江存儲此前還推動擴產(chǎn)。集邦咨詢分析稱,2022年第三季度,受長江存儲擴大筆電Client SSD出貨等影響,價格戰(zhàn)日益激烈,原廠不得不拉大議價空間,吸引客戶提高訂單數(shù)量。

      2022年10月,美國商務部工業(yè)和安全局發(fā)布出口管制新規(guī),限制對中國出口芯片制造設備等,將長江存儲NAND Flash芯片層數(shù)卡在已量產(chǎn)的最新工藝上。當年12月,美國又將長江存儲納入出口管制“實體清單”。

      除NAND Flash外,美光也是主要的DRAM生產(chǎn)商之一。2016年,生產(chǎn)DRAM的另一大存儲芯片廠商福建晉華與聯(lián)電簽署技術合作協(xié)議,開發(fā)DRAM相關制程技術,在福建晉江投資56.5億美元建設一條12英寸晶圓廠生產(chǎn)線。2017年,美光在美國起訴晉華與聯(lián)電,稱晉華員工竊取其知識產(chǎn)權交給晉華。2018年,美國商務部又將晉華列入出口管制“實體清單”。